Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube

Druh obalu

Tube

Kategória výrobku

PMIC Gate Driver

Typ puzdra

SOIC-8

Spôsob montáže

povrchová montáž

Typ

600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2

Datasheety: (PDF)

Doručenie: Ut 6. 10.

25 Ks

Množstevná cena (Ks)

Zľava

Cena balenia (bez DPH.)

Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu

Ušetríte 0,00 €

Počet

Min.: 5

Celkom (3,24 € / kus)

16,20 €

bez DPH.

14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene

Nahlásiť právny incident

Hlavné benefity

IR vysokonapäťový ovládač brány MOSFET/IGBT

Dodatočné informácie:

Technické parametre

(ton) Čas oneskorenia zapnutia: 0,08 µs
(toff) čas oneskorenia vypnutia: 0,045 µs

Druh obalu: Tube

Typ: 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2

Kategória výrobku: PMIC Gate Driver

Typ puzdra: SOIC-8

Výrobca: Infineon Technologies

Vstupné napätie (min.): 10 V

Vstupné napätie (max.): 20 V

Prevádzková teplota (min.): -40 °C

Prevádzková teplota (max.): +125 °C

Spôsob montáže: povrchová montáž

Aplikácia: kontrola prúdu / napätia

UKCA: Nie je relevantné

Na stiahnutie

Datasheet

Datasheet 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PMIC Gate Driver SOIC-8 Tube

Popis

Integrované obvody od popredných výrobcov. Ako vždy, všimnite si našu rozsiahlu dokumentáciu, ktorá je k dispozícii na stiahnutie zadarmo.

Tento text bol preložený strojovo.