Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P kanál 360 mW TO-236-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-236-3
Prevedenie
P kanál
Výkon
360 mW
R (DS) (on)
2 Ω
Datasheety: (PDF)
22140 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
0,24 €
30
4% = 0,01 €
0,23 €
50
13% = 0,03 €
0,21 €
100
17% = 0,04 €
0,20 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Celkom (0,24 € / kus)
2,40 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Malý signálny tranzistor
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
BSS83P
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-236-3
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
330 mA
- U BR DSS
60 V
- Výkon
360 mW
- R (DS) (on)
2 Ω
- Referenčný prúd R (DS) (on)
330 mA
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
2 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
80 µA
- Q (G)
3.57 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
78 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
SIPMOS®
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
hradlo s logickou úrovňou
- U (DSS)
60 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 153047 Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P kanál 360 mW TO-236-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 153047 Infineon Technologies BSS83P tranzistor MOSFET 1 P kanál 360 mW TO-236-3