Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
170 W
R (DS) (on)
9 mΩ
Datasheety: (PDF)
49 Ks (Posledné kusy skladom)
Počet
Celkom (1,05 € / kus)
1,05 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF1104PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
100 A
- U BR DSS
40 V
- Výkon
170 W
- R (DS) (on)
9 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
60 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
93 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
2900 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
40 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220AB