Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF3415PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-220
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220
Prevedenie
N kanál
Výkon
200 W
R (DS) (on)
42 mΩ
Datasheety: (PDF)
530 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
1,86 €
30
7% = 0,13 €
1,73 €
50
10% = 0,19 €
1,67 €
100
12% = 0,23 €
1,63 €
200
15% = 0,27 €
1,59 €
400
17% = 0,32 €
1,54 €
1000
20% = 0,38 €
1,48 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Násobky: 10
Celkom (1,86 € / kus)
18,60 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF3415PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
43 A
- U BR DSS
150 V
- Výkon
200 W
- R (DS) (on)
42 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
22 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
200 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
2400 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
150 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-220
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-220