Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N kanál 82 W TO-263-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-263-3
Prevedenie
N kanál
Výkon
82 W
R (DS) (on)
300 mΩ
Datasheety: (PDF)
736 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
0,56 €
9
7% = 0,04 €
0,52 €
15
11% = 0,06 €
0,50 €
30
13% = 0,07 €
0,49 €
60
14% = 0,08 €
0,48 €
120
18% = 0,10 €
0,46 €
300
20% = 0,11 €
0,45 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (0,56 € / kus)
1,68 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF630N
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-263-3
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
9.3 A
- U BR DSS
200 V
- Výkon
82 W
- R (DS) (on)
300 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
5.4 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
35 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
575 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
200 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162421 Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N kanál 82 W TO-263-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162421 Infineon Technologies IRF630N tranzistor MOSFET 1 N kanál 82 W TO-263-3
Popis
MOFSET tranzistor je stavebná súčiastka riadená napätím a môže sa pripojiť priamo na vysokoohmické zdroje. Preto je vhodná na použitie ako vypínač alebo analógový zosilňovač. Upozornenie: výrobca SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Tento text bol preložený strojovo.
Tento text bol preložený strojovo.