Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF9530NPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W TO-220
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220
Prevedenie
P kanál
Výkon
79 W
R (DS) (on)
200 mΩ
Datasheety: (PDF)
85 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
1,21 €
9
7% = 0,09 €
1,12 €
15
10% = 0,12 €
1,09 €
30
12% = 0,14 €
1,07 €
60
15% = 0,18 €
1,03 €
120
17% = 0,21 €
1,00 €
300
21% = 0,25 €
0,96 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (1,21 € / kus)
3,63 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
Napájanie MOSFET, P-kanál
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF9530NPBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
14 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
79 W
- R (DS) (on)
200 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
8.4 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
58 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
760 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W TO-220
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W TO-220