Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRFB3006PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
375 W
R (DS) (on)
2.5 mΩ
Datasheety: (PDF)
76 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
4,46 €
5
7% = 0,29 €
4,17 €
10
9% = 0,40 €
4,06 €
25
11% = 0,48 €
3,98 €
50
13% = 0,57 €
3,89 €
100
15% = 0,67 €
3,79 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (4,46 € / kus)
4,46 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFB3006PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
195 A
- U BR DSS
60 V
- Výkon
375 W
- R (DS) (on)
2.5 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
170 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
300 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
8970 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
50 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
60 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 564023 Infineon Technologies IRFB3006PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 564023 Infineon Technologies IRFB3006PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB