Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRFP3710PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-247-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-247-3
Prevedenie
N kanál
Výkon
200 W
R (DS) (on)
25 mΩ
Datasheety: (PDF)
98 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
2,67 €
10
7% = 0,20 €
2,47 €
25
10% = 0,27 €
2,40 €
50
12% = 0,33 €
2,34 €
100
15% = 0,39 €
2,28 €
250
17% = 0,46 €
2,21 €
500
21% = 0,55 €
2,12 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (2,67 € / kus)
2,67 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFP3710PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-247-3
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
57 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
200 W
- R (DS) (on)
25 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
28 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
190 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
3000 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-247-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W TO-247-3
Popis
MOFSET tranzistor je stavebná súčiastka riadená napätím a môže sa pripojiť priamo na vysokoohmické zdroje. Preto je vhodná na použitie ako vypínač alebo analógový zosilňovač. Tento tranzistor je µC, TTL a CMOS kompatibilný. Upozornenie: výrobca SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Tento text bol preložený strojovo.
Tento text bol preložený strojovo.