Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W TO-252AA
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-252AA
Prevedenie
N kanál
Výkon
110 W
R (DS) (on)
0.039 Ω
Datasheety: (PDF)
40 Ks (Posledné kusy skladom)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
0,69 €
9
7% = 0,05 €
0,64 €
15
10% = 0,07 €
0,62 €
30
13% = 0,09 €
0,60 €
60
14% = 0,10 €
0,59 €
120
17% = 0,12 €
0,57 €
300
20% = 0,14 €
0,55 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (0,69 € / kus)
2,07 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRFR
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFR3410PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-252AA
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
31 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
110 W
- R (DS) (on)
0.039 Ω
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W TO-252AA
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W TO-252AA