Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRLB4030PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
370 W
R (DS) (on)
4.3 mΩ
Datasheety: (PDF)
293 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
4,46 €
5
7% = 0,29 €
4,17 €
10
9% = 0,40 €
4,06 €
25
11% = 0,48 €
3,98 €
50
13% = 0,57 €
3,89 €
100
15% = 0,67 €
3,79 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (4,46 € / kus)
4,46 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
Unipolárny tranzistor (MOSFET)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRLB4030PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
180 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
370 W
- R (DS) (on)
4.3 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
110 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
2.5 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
130 nC
- Referenčné napätie Q (G)
4.5 V
- C (ISS)
11360 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
50 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
hradlo s logickou úrovňou
- U (DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB