Taiwan Semiconductor ESD dióda 1N4448 A0G 75 V 150 mA Tape
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Druh obalu
Tape
Kategória výrobku
ESD dióda
Priepustný prúd I (F)
150 mA
Záverné napätie U®
75 V
Priepustné napätie U (F)
1 V
Datasheety: (PDF)
660 Ks
Počet
Min.: 100
Celkom (0,01 € / kus)
1,00 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
Si dióda 100V 150mA DO35
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Druh obalu
Tape
- Typ
1N4448 A0G
- Kategória výrobku
ESD dióda
- Výrobca
Taiwan Semiconductor
- Priepustný prúd I (F)
150 mA
- Záverné napätie U®
75 V
- Priepustné napätie U (F)
1 V
- Záverný prúd I (r)
5 nA
- Prevádzková teplota (min.)
-65 °C
- Prevádzková teplota (max.)
150 °C
- Spôsob montáže
montáž prestrčením
- Čas medzery blokovania T (rr)
4 ns
- Séria
1N_
- Spĺňa RoHS
áno
- Konfigurácia (dióda)
jednotlivé
- U (RRM)
100 V
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 2993279 Taiwan Semiconductor ESD dióda 1N4448 A0G 75 V 150 mA Tape
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 2993279 Taiwan Semiconductor ESD dióda 1N4448 A0G 75 V 150 mA Tape