Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Vishay IRFB11N50APBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220
Prevedenie
N kanál
Výkon
170 W
R (DS) (on)
520 mΩ
Datasheety: (PDF)
42 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
2,27 €
10
7% = 0,16 €
2,11 €
25
11% = 0,24 €
2,03 €
50
13% = 0,29 €
1,98 €
100
15% = 0,34 €
1,93 €
500
18% = 0,40 €
1,87 €
1000
21% = 0,47 €
1,80 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (2,27 € / kus)
2,27 €
bez DPH.
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene
Hlavné benefity
MOSFET (HEXFET)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFB11N50APBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220
- Výrobca
Vishay
- Výrobca
VIS
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
11 A
- U BR DSS
500 V
- Výkon
170 W
- R (DS) (on)
520 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
6.6 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
52 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
1423 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
500 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162553 Vishay IRFB11N50APBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162553 Vishay IRFB11N50APBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 170 W TO-220