
Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
SI4948BEY-T1-E3
tranzistor MOSFET
SOIC-8
Vishay
VIS
P kanál
2.4 A
60 V
1.4 W
120 mΩ
3.1 A
10 V
3 V
250 µA
22 nC
10 V
-55 °C
povrchová montáž
TrenchFET®
+175 °C
hradlo s logickou úrovňou
60 V
2
1 ks
Datasheet 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 tranzistor MOSFET 2 P kanál 1.4 W SOIC-8
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 tranzistor MOSFET 2 P kanál 1.4 W SOIC-8