Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W D2PAK
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
D2PAK
Prevedenie
N kanál
Výkon
110 W
R (DS) (on)
0.0084 Ω
Datasheety: (PDF)
10 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
1,21 €
30
7% = 0,09 €
1,12 €
50
10% = 0,12 €
1,09 €
100
12% = 0,14 €
1,07 €
200
15% = 0,18 €
1,03 €
400
17% = 0,21 €
1,00 €
1000
21% = 0,25 €
0,96 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Celkom (1,21 € / kus)
12,10 €
bez DPH.
Už len 10 Ks skladom!
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF1018ESPBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
D2PAK
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
79 A
- U BR DSS
60 V
- Výkon
110 W
- R (DS) (on)
0.0084 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W D2PAK
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 110 W D2PAK