
Ilustračný obrázok
IRF3710SPBF
tranzistor MOSFET
D2PAK
Infineon Technologies
INF
N kanál
57 A
100 V
200 W
23 mΩ
28 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3130 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
HEXFET®
+175 °C
štandardné
100 V
1
1 ks
Datasheet 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W D2PAK
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 200 W D2PAK
11,71 €*
K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.