Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRLML6401TRPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.3 W SOT-23
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOT-23
Prevedenie
P kanál
Výkon
1.3 W
R (DS) (on)
50 mΩ
Datasheety: (PDF)
1066 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
15
-
0,16 €
45
6% = 0,01 €
0,15 €
75
12% = 0,02 €
0,14 €
150
19% = 0,03 €
0,13 €
300
31% = 0,05 €
0,11 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 15
Celkom (0,16 € / kus)
2,40 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRLML6401TRPBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOT-23
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
4.3 A
- U BR DSS
12 V
- Výkon
1.3 W
- R (DS) (on)
50 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
4.3 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
4.5 V
- U (GS) (th) max.
0.95 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
15 nC
- Referenčné napätie Q (G)
5 V
- C (ISS)
830 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
10 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
hradlo s logickou úrovňou
- U (DSS)
12 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.3 W SOT-23
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.3 W SOT-23