Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 170 W D2PAK
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
D2PAK
Prevedenie
P kanál
Výkon
170 W
R (DS) (on)
0.06 Ω
Datasheety: (PDF)
10 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
2,67 €
30
7% = 0,20 €
2,47 €
50
10% = 0,27 €
2,40 €
100
12% = 0,33 €
2,34 €
200
15% = 0,39 €
2,28 €
400
17% = 0,46 €
2,21 €
1000
21% = 0,55 €
2,12 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Celkom (2,67 € / kus)
26,70 €
bez DPH.
Už len 10 Ks skladom!
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF5210SPBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
D2PAK
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
-38 A
- U BR DSS
-100 V
- Výkon
170 W
- R (DS) (on)
0.06 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 170 W D2PAK
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 170 W D2PAK