Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál 2.0 W SO-8
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SO-8
Prevedenie
N kanál
Výkon
2.0 W
R (DS) (on)
0.2 Ω
Datasheety: (PDF)
43 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
5
-
0,89933 €
15
7% = 0,06 €
0,83593 €
25
10% = 0,09 €
0,80698 €
50
12% = 0,11 €
0,78772 €
100
15% = 0,13 €
0,76596 €
200
18% = 0,16 €
0,74186 €
500
21% = 0,18 €
0,71479 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 5
Celkom (0,89933 € / kus)
4,50 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF7103PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SO-8
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
N kanál
- Výkon
2.0 W
- R (DS) (on)
0.2 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál 2.0 W SO-8
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál 2.0 W SO-8