Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SO-8
Prevedenie
N kanál
P kanál
Výkon
2.0 W
R (DS) (on)
0.4 Ω
Datasheety: (PDF)
6600 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
50
-
0,49546 €
150
6% = 0,03 €
0,46519 €
250
13% = 0,06 €
0,43229 €
500
15% = 0,08 €
0,42025 €
1000
18% = 0,09 €
0,40672 €
2000
21% = 0,10 €
0,39167 €
5000
26% = 0,13 €
0,36754 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Celkom (0,49546 € / kus)
24,77 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF7105PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SO-8
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
N kanál
P kanál
- I (d)
3.5 A
- U BR DSS
25 V
- Výkon
2.0 W
- R (DS) (on)
0.4 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SO-8
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SO-8