Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 P kanál 2.0 W SO-8
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SO-8
Prevedenie
P kanál
Výkon
2.0 W
R (DS) (on)
0.16 Ω
Datasheety: (PDF)
22 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
1,07453 €
9
7% = 0,08 €
0,99877 €
15
10% = 0,11 €
0,96417 €
30
12% = 0,13 €
0,94118 €
60
15% = 0,16 €
0,91518 €
120
18% = 0,19 €
0,88638 €
300
21% = 0,22 €
0,85403 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (1,07453 € / kus)
3,22 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF7306PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SO-8
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
P kanál
- Výkon
2.0 W
- R (DS) (on)
0.16 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 P kanál 2.0 W SO-8
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026238 Infineon Technologies IRF7306PBF-GURT tranzistor MOSFET 2 P kanál 2.0 W SO-8