Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W D2PAK
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
D2PAK
Prevedenie
P kanál
Výkon
79 W
R (DS) (on)
0.2 Ω
Datasheety: (PDF)
25 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
1,62 €
10
7% = 0,12 €
1,50 €
25
10% = 0,16 €
1,46 €
50
13% = 0,21 €
1,41 €
100
15% = 0,25 €
1,37 €
500
18% = 0,29 €
1,33 €
1000
21% = 0,34 €
1,28 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (1,62 € / kus)
1,62 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF9530NSPBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
D2PAK
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
-14 A
- U BR DSS
-100 V
- Výkon
79 W
- R (DS) (on)
0.2 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W D2PAK
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 79 W D2PAK