Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-252AA
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-252AA
Prevedenie
P kanál
Výkon
110 W
R (DS) (on)
0.065 Ω
Datasheety: (PDF)
6 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
1,07040 €
9
7% = 0,08 €
0,99493 €
15
10% = 0,11 €
0,96047 €
30
12% = 0,13 €
0,93756 €
60
15% = 0,16 €
0,91166 €
120
18% = 0,19 €
0,88298 €
300
21% = 0,22 €
0,85076 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (1,0704 € / kus)
3,21 €
bez DPH.
Už len 6 Ks skladom!
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRFR
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFR5305PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-252AA
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
-31 A
- U BR DSS
-55 V
- Výkon
110 W
- R (DS) (on)
0.065 Ω
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-252AA
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026278 Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-252AA