Vishay SI4532CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOIC-8
Prevedenie
N kanál
P kanál
Výkon
1.78 W
Datasheety: (PDF)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
50
-
0,78411 €
150
7% = 0,06 €
0,72883 €
250
10% = 0,08 €
0,70358 €
500
12% = 0,10 €
0,68680 €
1000
15% = 0,12 €
0,66782 €
2000
18% = 0,14 €
0,64680 €
5000
21% = 0,16 €
0,62320 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celkom (0,78411 € / kus)
39,21 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Vishay SMD Power MOSFET SI_Y-GE3 SO
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4532CDY-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOIC-8
- Výrobca
Vishay
- Prevedenie
N kanál
P kanál
- I (d)
6 A
- U BR DSS
30 V
- Výkon
1.78 W
- R (DS) (on)
0.14 Ω
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Prevádzková teplota (max.)
150 °C
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Dĺžka
0 mm
- Šírka
0.00 mm
- Hmotnosť
0
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel