Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOIC-8
Prevedenie
N kanál
P kanál
Výkon
2.0 W
Datasheety: (PDF)
24 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
0,73704 €
9
7% = 0,05 €
0,68508 €
15
10% = 0,08 €
0,66135 €
30
12% = 0,09 €
0,64558 €
60
15% = 0,11 €
0,62774 €
120
18% = 0,13 €
0,60798 €
300
21% = 0,15 €
0,58580 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celkom (0,73704 € / kus)
2,21 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Vishay SMD Power MOSFET SI_Y-GE3 SO
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4559ADY-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOIC-8
- Výrobca
Vishay
- Prevedenie
N kanál
P kanál
- I (d)
5.3 A
- U BR DSS
60 V
- Výkon
2.0 W
- R (DS) (on)
0.15 Ω
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Prevádzková teplota (max.)
150 °C
- Kanály
2
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Dĺžka
0 mm
- Šírka
0.00 mm
- Hmotnosť
0
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 2 N kanál, P kanál 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reel