
Ilustračný obrázok
BSP135H6327
tranzistor MOSFET
TO-261-4
Infineon Technologies
INF
N kanál
120 mA
600 V
1.8 W
45 Ω
120 mA
10 V
1 V
94 µA
4.9 nC
5 V
146 pF
25 V
-55 °C
povrchová montáž
SIPMOS®
+150 °C
ochuzovací režim
600 V
1
1 ks
Datasheet 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1.8 W TO-261-4
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1.8 W TO-261-4
6,83 €*
K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.