Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies BSS139 tranzistor MOSFET 1 N kanál 360 mW TO-236-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-236-3
Prevedenie
N kanál
Výkon
360 mW
R (DS) (on)
14 Ω
Datasheety: (PDF)
2218 Ks (Posledné kusy skladom)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
7
-
0,50 €
21
8% = 0,04 €
0,46 €
35
14% = 0,07 €
0,43 €
70
16% = 0,08 €
0,42 €
140
18% = 0,09 €
0,41 €
280
22% = 0,11 €
0,39 €
700
26% = 0,13 €
0,37 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 7
Celkom (0,50 € / kus)
3,50 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Malý signálny tranzistor
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
BSS139
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-236-3
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
100 mA
- U BR DSS
250 V
- Výkon
360 mW
- R (DS) (on)
14 Ω
- Referenčný prúd R (DS) (on)
0.1 mA
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
1 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
56 µA
- Q (G)
3.5 nC
- Referenčné napätie Q (G)
5 V
- C (ISS)
76 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
SIPMOS®
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
ochuzovací režim
- U (DSS)
250 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 152941 Infineon Technologies BSS139 tranzistor MOSFET 1 N kanál 360 mW TO-236-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 152941 Infineon Technologies BSS139 tranzistor MOSFET 1 N kanál 360 mW TO-236-3