Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF4905PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 200 W TO-220
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220
Prevedenie
P kanál
Výkon
200 W
R (DS) (on)
20 mΩ
Datasheety: (PDF)
354 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
2,27 €
10
7% = 0,16 €
2,11 €
25
11% = 0,24 €
2,03 €
50
13% = 0,29 €
1,98 €
100
15% = 0,34 €
1,93 €
500
18% = 0,40 €
1,87 €
1000
21% = 0,47 €
1,80 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (2,27 € / kus)
2,27 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Napájanie MOSFET, P-kanál
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF4905PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
74 A
- U BR DSS
55 V
- Výkon
200 W
- R (DS) (on)
20 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
38 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
180 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
3400 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
55 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162399 Infineon Technologies IRF4905PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 200 W TO-220
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162399 Infineon Technologies IRF4905PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 200 W TO-220