Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
375 W
R (DS) (on)
2 mΩ
Datasheety: (PDF)
160 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
3,08 €
30
7% = 0,23 €
2,85 €
50
10% = 0,32 €
2,76 €
100
12% = 0,38 €
2,70 €
200
15% = 0,45 €
2,63 €
400
17% = 0,53 €
2,55 €
1000
20% = 0,63 €
2,45 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Celkom (3,08 € / kus)
30,80 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFB7530PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
195 A
- U BR DSS
60 V
- Výkon
375 W
- R (DS) (on)
2 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
100 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
3.7 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
411 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
13703 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
StrongIRFET™
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
60 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 375 W TO-220AB