Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.6 W SOT-23-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOT-23-3
Prevedenie
P kanál
Výkon
1.6 W
R (DS) (on)
112 mΩ
Datasheety: (PDF)
174 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
10
-
0,27 €
30
7% = 0,02 €
0,25 €
50
11% = 0,03 €
0,24 €
100
15% = 0,04 €
0,23 €
200
22% = 0,06 €
0,21 €
400
26% = 0,07 €
0,20 €
1000
26% = 0,07 €
0,20 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 10
Celkom (0,27 € / kus)
2,70 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
SI2301CDS-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOT-23-3
- Výrobca
Vishay
- Výrobca
VIS
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
3.1 A
- U BR DSS
20 V
- Výkon
1.6 W
- R (DS) (on)
112 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
2.8 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
4.5 V
- U (GS) (th) max.
1 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
10 nC
- Referenčné napätie Q (G)
4.5 V
- C (ISS)
405 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
10 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
TrenchFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
20 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 597293 Vishay SI2301CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.6 W SOT-23-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 597293 Vishay SI2301CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 1.6 W SOT-23-3