Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 2.3 W SOT-23-3
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOT-23-3
Prevedenie
P kanál
Výkon
2.3 W
R (DS) (on)
190 mΩ
Datasheety: (PDF)
2877 Ks (Posledné kusy skladom)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
0,66 €
10
8% = 0,05 €
0,61 €
25
11% = 0,07 €
0,59 €
50
12% = 0,08 €
0,58 €
100
15% = 0,10 €
0,56 €
500
18% = 0,12 €
0,54 €
1000
21% = 0,14 €
0,52 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (0,66 € / kus)
0,66 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
SI2303CDS-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOT-23-3
- Výrobca
Vishay
- Výrobca
VIS
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
2.7 A
- U BR DSS
30 V
- Výkon
2.3 W
- R (DS) (on)
190 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
1.9 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
3 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
8 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
155 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
15 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Séria
TrenchFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
30 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 2.3 W SOT-23-3
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 2.3 W SOT-23-3