Vishay SI4100DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOIC-8
Prevedenie
N kanál
Výkon
6 W
Datasheety: (PDF)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
50
-
1,21 €
150
7% = 0,09 €
1,12 €
250
10% = 0,12 €
1,09 €
500
12% = 0,14 €
1,07 €
1000
15% = 0,18 €
1,03 €
2000
17% = 0,21 €
1,00 €
5000
21% = 0,25 €
0,96 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celkom (1,21 € / kus)
60,50 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Vishay SMD Power MOSFET SI_Y-GE3 SO
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4100DY-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOIC-8
- Výrobca
Vishay
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
6.8 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
6 W
- R (DS) (on)
0.084 Ω
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Prevádzková teplota (max.)
150 °C
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Dĺžka
0 mm
- Šírka
0.00 mm
- Hmotnosť
0
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 6 W SOIC-8 Tape on Full reel