Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
P kanál
Výkon
110 W
R (DS) (on)
60 mΩ
Datasheety: (PDF)
23 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
1,62 €
10
7% = 0,12 €
1,50 €
25
10% = 0,16 €
1,46 €
50
13% = 0,21 €
1,41 €
100
15% = 0,25 €
1,37 €
500
18% = 0,29 €
1,33 €
1000
21% = 0,34 €
1,28 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (1,62 € / kus)
1,62 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF5305PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
31 A
- U BR DSS
55 V
- Výkon
110 W
- R (DS) (on)
60 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
16 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
63 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
1200 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
55 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 563967 Infineon Technologies IRF5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W TO-220AB