• Všetko zo sveta techniky
  • Rýchle doručenie
  • Garantované vrátenie tovaru
  • Odborný predajca už od roku 1923

Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.0 W SO-8

EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SO-8
Prevedenie
N kanál
Výkon
2.0 W
R (DS) (on)
0.0155 Ω
Datasheety: (PDF)
Okamžité doručenie: Po 26. 10.

21 Ks

Počet
Min.: 3
Násobky: 1
Celkom (1,10989 € / kus)
3,33 €
prav.tax.untaxed s DPH 
Plus 6,99 € 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Bez dodatočných nákladov na dopravu 
14-dňová lehota na vrátenie tovaru je zahrnutá v cene

Hlavné benefity

INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRF_

Dodatočné informácie:

Technické parametre

Typ

IRF8313PBF-GURT

Kategória výrobku

tranzistor MOSFET

Typ puzdra

SO-8

Výrobca

Infineon Technologies

Prevedenie

N kanál

I (d)

9.7 A

U BR DSS

30 V

Výkon

2.0 W

R (DS) (on)

0.0155 Ω

Spôsob montáže

povrchová montáž

Kanály

1

Obsah

1 ks

Na stiahnutie

Datasheet

Datasheet 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.0 W SO-8

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.0 W SO-8

Tranzistory MOSFET - čo presne hľadáte?

Doplnky

(*Všetky ceny sú bez DPH.)

K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.

Podobné produkty

(*Všetky ceny sú bez DPH.)