Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRFB4110PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
370 W
R (DS) (on)
4.5 mΩ
Datasheety: (PDF)
109 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
3,49 €
10
7% = 0,26 €
3,23 €
25
11% = 0,37 €
3,12 €
50
12% = 0,43 €
3,06 €
100
15% = 0,51 €
2,98 €
250
17% = 0,60 €
2,89 €
500
21% = 0,72 €
2,77 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (3,49 € / kus)
3,49 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Unipolárny tranzistor (MOSFET)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFB4110PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
120 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
370 W
- R (DS) (on)
4.5 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
75 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
210 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
9620 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
50 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 370 W TO-220AB