Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRFU5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W I-PAK
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
I-PAK
Prevedenie
P kanál
Výkon
110 W
R (DS) (on)
65 mΩ
Datasheety: (PDF)
351 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
1,46 €
9
8% = 0,11 €
1,35 €
15
10% = 0,15 €
1,31 €
30
12% = 0,18 €
1,28 €
60
15% = 0,22 €
1,24 €
120
18% = 0,26 €
1,20 €
300
21% = 0,31 €
1,15 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (1,46 € / kus)
4,38 €
bez DPH.
Hlavné benefity
HEXFET / FETKY
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRFU5305PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
I-PAK
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
31 A
- U BR DSS
55 V
- Výkon
110 W
- R (DS) (on)
65 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
16 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
63 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
1200 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
55 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W I-PAK
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF tranzistor MOSFET 1 P kanál 110 W I-PAK