Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.1 W SOT-223
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOT-223
Prevedenie
N kanál
Výkon
2.1 W
R (DS) (on)
0.065 Ω
Datasheety: (PDF)
27 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
3
-
0,83233 €
9
7% = 0,06 €
0,77364 €
15
10% = 0,09 €
0,74685 €
30
12% = 0,10 €
0,72903 €
60
15% = 0,12 €
0,70889 €
120
18% = 0,15 €
0,68659 €
300
21% = 0,17 €
0,66153 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Min.: 3
Celkom (0,83233 € / kus)
2,50 €
bez DPH.
Hlavné benefity
INFI SMD výkonové MOSFETy s páskou IRFL
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRLL2705PBF-GURT
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOT-223
- Výrobca
Infineon Technologies
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
3.8 A
- U BR DSS
55 V
- Výkon
2.1 W
- R (DS) (on)
0.065 Ω
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.1 W SOT-223
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT tranzistor MOSFET 1 N kanál 2.1 W SOT-223