Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
IXYS IXFP7N100P tranzistor MOSFET 1 N kanál 300 W TO-220AB
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
300 W
R (DS) (on)
1.9 Ω
Datasheety: (PDF)
53 Ks
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
8,12 €
3
6% = 0,46 €
7,66 €
5
8% = 0,65 €
7,47 €
10
10% = 0,78 €
7,34 €
25
11% = 0,90 €
7,22 €
50
13% = 1,07 €
7,05 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (8,12 € / kus)
8,12 €
bez DPH.
Hlavné benefity
Unipolárny tranzistor (MOSFET)
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IXFP7N100P
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
IXYS
- Výrobca
IXY
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
7 A
- U BR DSS
1000 V
- Výkon
300 W
- R (DS) (on)
1.9 Ω
- Referenčný prúd R (DS) (on)
3.5 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
6 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
1 mA
- Q (G)
47 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
2590 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HiPerFET™
PolarP2™
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
1000 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 160790 IXYS IXFP7N100P tranzistor MOSFET 1 N kanál 300 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 160790 IXYS IXFP7N100P tranzistor MOSFET 1 N kanál 300 W TO-220AB