Ilustračný obrázok
Ilustračný obrázok
IXYS IXFQ60N50P3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1040 W TO-3P
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-3P
Prevedenie
N kanál
Výkon
1040 W
R (DS) (on)
100 mΩ
Datasheety: (PDF)
42 Ks (Posledné kusy skladom)
Množstevná cena (Ks)
Zľava
Cena balenia (bez DPH.)
1
-
12,19 €
3
6% = 0,68 €
11,51 €
5
8% = 0,95 €
11,24 €
10
9% = 1,12 €
11,07 €
25
11% = 1,33 €
10,86 €
50
13% = 1,56 €
10,63 €
Množstevné zľavy sa líšia podľa predajcu
Ušetríte 0,00 €
Počet
Celkom (12,19 € / kus)
12,19 €
bez DPH.
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IXFQ60N50P3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-3P
- Výrobca
IXYS
- Výrobca
IXY
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
60 A
- U BR DSS
500 V
- Výkon
1040 W
- R (DS) (on)
100 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
30 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
5 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
4 mA
- Q (G)
96 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
6250 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HiPerFET™
Polar3™
- Prevádzková teplota (max.)
+150 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
500 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 564304 IXYS IXFQ60N50P3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1040 W TO-3P
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 564304 IXYS IXFQ60N50P3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1040 W TO-3P