Vishay SI4447ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Druh obalu
Tape on Full reel
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOIC-8
Prevedenie
P kanál
Výkon
4.2 W
Datasheety: (PDF)
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
1100 Ks
Počet
Min.: 50
Násobky: 50
Tape on Full reel
Ks (Obsah: )
Ks (Obsah: )
Celkom (0,79164 € / kus)
0,79 €
s DPH
Overený predajca s technickou podporou
Hlavné benefity
Vishay SMD Power MOSFET SI_Y-GE3 SO
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Druh obalu
Tape on Full reel
- Typ
SI4447ADY-T1-GE3
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
SOIC-8
- Výrobca
Vishay
- Prevedenie
P kanál
- I (d)
-7.2 A
- U BR DSS
-40 V
- Výkon
4.2 W
- R (DS) (on)
0.062 Ω
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
povrchová montáž
- Prevádzková teplota (max.)
150 °C
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
- V
0.00 mm
- Dĺžka
0 mm
- Šírka
0.00 mm
- Hmotnosť
0
- UKCA
áno
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 P kanál 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Tranzistory MOSFET - čo presne hľadáte?
Doplnky
(*Všetky ceny sú bez DPH.)K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.
Conrad Electronic
0,65 €*
Podobné produkty
(*Všetky ceny sú bez DPH.)
0,20 €*
