• Platform for Everything Technical
  • Rýchle doručenie
  • Garantované vrátenie tovaru
  • Odborný predajca už od roku 1923

Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1.66 W SOT-23-3

Ilustračný obrázok
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
SOT-23-3
Prevedenie
N kanál
Výkon
1.66 W
R (DS) (on)
156 mΩ
Datasheety: (PDF)
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Nie je k dispozícii


Celkom (0,68 € / kus)
0,68 €
prav.tax.untaxed s DPH 
Plus 9,95 € 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Bez dodatočných nákladov na dopravu 
Overený predajca s technickou podporou

Hlavné benefity

MOSFET

Dodatočné informácie:

Technické parametre

Typ

SI2308BDS-T1-GE3

Kategória výrobku

tranzistor MOSFET

Typ puzdra

SOT-23-3

Výrobca

Vishay

Výrobca

VIS

Prevedenie

N kanál

I (d)

2.3 A

U BR DSS

60 V

Výkon

1.66 W

R (DS) (on)

156 mΩ

Referenčný prúd R (DS) (on)

1.9 A

Referenčné napätie R (DS) (on)

10 V

U (GS) (th) max.

3 V

U (GS) (th) max. Referenčné prúd

250 µA

Q (G)

6.8 nC

Referenčné napätie Q (G)

10 V

C (ISS)

190 pF

Referenčné napätie C (ISS)

30 V

Prevádzková teplota (min.)

-55 °C

Spôsob montáže

povrchová montáž

Séria

TrenchFET®

Prevádzková teplota (max.)

+150 °C

Vlastnosť tranzistora

štandardné

U (DSS)

60 V

Kanály

1

Obsah

1 ks

Na stiahnutie

Datasheet

Datasheet 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1.66 W SOT-23-3

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny

Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 tranzistor MOSFET 1 N kanál 1.66 W SOT-23-3

Tranzistory MOSFET - čo presne hľadáte?

Doplnky

(*Všetky ceny sú bez DPH.)

K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.

Podobné produkty

(*Všetky ceny sú bez DPH.)