Ilustračný obrázok
Infineon Technologies IRF8010PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 260 W TO-220AB
Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
Typ puzdra
TO-220AB
Prevedenie
N kanál
Výkon
260 W
R (DS) (on)
15 mΩ
Datasheety: (PDF)
EAN:
Označenie výrobcu:
Objednávacie číslo:
Celkom (4,29 € / kus)
4,29 €
s DPH
Overený predajca s technickou podporou
Hlavné benefity
MOSFET
Dodatočné informácie:
Technické parametre
- Typ
IRF8010PBF
- Kategória výrobku
tranzistor MOSFET
- Typ puzdra
TO-220AB
- Výrobca
Infineon Technologies
- Výrobca
INF
- Prevedenie
N kanál
- I (d)
80 A
- U BR DSS
100 V
- Výkon
260 W
- R (DS) (on)
15 mΩ
- Referenčný prúd R (DS) (on)
45 A
- Referenčné napätie R (DS) (on)
10 V
- U (GS) (th) max.
4 V
- U (GS) (th) max. Referenčné prúd
250 µA
- Q (G)
120 nC
- Referenčné napätie Q (G)
10 V
- C (ISS)
3830 pF
- Referenčné napätie C (ISS)
25 V
- Prevádzková teplota (min.)
-55 °C
- Spôsob montáže
priechodný otvor
- Séria
HEXFET®
- Prevádzková teplota (max.)
+175 °C
- Vlastnosť tranzistora
štandardné
- U (DSS)
100 V
- Kanály
1
- Obsah
1 ks
Na stiahnutie
Datasheet
Datasheet 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 260 W TO-220AB
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny
Návod na obsluhu a bezpečnostné pokyny 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF tranzistor MOSFET 1 N kanál 260 W TO-220AB
Tranzistory MOSFET - čo presne hľadáte?
Doplnky
(*Všetky ceny sú bez DPH.)K použitiu tohto produktu je potrebné toto príslušenstvo.
Conrad Electronic
0,65 €*
Podobné produkty
(*Všetky ceny sú bez DPH.)
1,79 €*
1,29 €*
